Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > TriQuint увеличит мощность 3G-базовых станций

TriQuint увеличит мощность 3G-базовых станций

Компания TriQuint Semiconductor представила новое поколение арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторов, способных значительно увеличить мощность 3G-базовых станций, тем самым увеличив и их эффективность.

Компания уже провела тестирование своего первого усилителя HV-HBT. Оно показало 57% увеличение мощности, что превосходит возможности и LDMOS-полупроводников и более дорогих нитрид-галлиевых (GaN) устройств.

"Усилители GSM-систем не требуют линейного режима и их эффективность традиционно выше, чем у аналогичных 3G-устройств. Операторы развивающие 3G-сети в последние несколько лет отметили резкое увеличение OPEX-затрат, связанных с электроэнергией, - заметил представитель TriQuint Semiconductor Майк Санна (Mike Sanna). - Транзисторы HV-HBT существенно увеличат эффективность усилителей. Например, один из наших ведущих клиентов отметил 10-кратное увеличение эффективности усилителей при использовании наших устройств TGH2932-FL".

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 28.02.2017 14:04 Анонс: ZTE Blade A520
  • 28.02.2017 13:03 Xiaomi Mi 5c - первый смартфон на чипсете Surge S1 собственной разработке Xiaomi
  • 28.02.2017 12:45 Анонс: Xiaomi Redmi 4X
  • 28.02.2017 02:37 MWC 2017: селфифоны Gionee A1 и A1 Plus
  • 27.02.2017 21:52 MWC 2017: ZTE Nubia N1 Lite - смартфон ни о чём
  • 27.02.2017 21:04 MWC 2017: ZTE Blade V8 Mini и ZTE Blade V8 Lite
  • 27.02.2017 20:36 MWC 2017: ZTE Gigabit Phone - прототип 5G-смартфона
  • 27.02.2017 19:01 MWC 2017: OPPO показала технологию 5-кратного оптического зуммирования для мобильной камеры
  • 27.02.2017 18:04 MWC 2017: Sony Xperia XA1 и Sony Xperia XA1 Ultra
  • 27.02.2017 16:29 MWC 2017: Sony Xperia XZs и XZ Premium
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru