Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > TriQuint увеличит мощность 3G-базовых станций

TriQuint увеличит мощность 3G-базовых станций

Компания TriQuint Semiconductor представила новое поколение арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторов, способных значительно увеличить мощность 3G-базовых станций, тем самым увеличив и их эффективность.

Компания уже провела тестирование своего первого усилителя HV-HBT. Оно показало 57% увеличение мощности, что превосходит возможности и LDMOS-полупроводников и более дорогих нитрид-галлиевых (GaN) устройств.

"Усилители GSM-систем не требуют линейного режима и их эффективность традиционно выше, чем у аналогичных 3G-устройств. Операторы развивающие 3G-сети в последние несколько лет отметили резкое увеличение OPEX-затрат, связанных с электроэнергией, - заметил представитель TriQuint Semiconductor Майк Санна (Mike Sanna). - Транзисторы HV-HBT существенно увеличат эффективность усилителей. Например, один из наших ведущих клиентов отметил 10-кратное увеличение эффективности усилителей при использовании наших устройств TGH2932-FL".

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 17.10.2017 21:49 ZTE Axon M: два экрана, четыре варианта использования
  • 17.10.2017 19:00 Vkworld S8 - полные ТТХ полноэкранного смартфона с батареей 5500 мАч
  • 17.10.2017 18:15 ZTE Axon M протестирован живьем
  • 17.10.2017 17:03 Qualcomm представила чипсет Snapdragon 636 с поддержкой Quick Charge 4
  • 16.10.2017 21:03 Doogee представит BL12000 - смартфон-пауербанк с батареей 12000 мАч
  • 16.10.2017 18:32 Huawei представила Mate 10 и Mate 10 Pro - смартфоны с ИИ-процессором и камерой Leica
  • 16.10.2017 16:02 ZTE готовит Axon M (Z999) со складным экраном
  • 16.10.2017 13:49 Анонсирован Xiaomi Redmi 5A
  • 16.10.2017 13:05 Защищенный планшет Logic Instrument Fieldbook Ks80 с поддержкой 4G
  • 13.10.2017 17:08 Wintel-планшет Cube KNote с 6 ГБ RAM
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru