Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 02.12.2016 22:41 Jolla показала Sailfish-часы
  • 02.12.2016 20:28 Раскладушки teXet TM-304 и teXet TM-404
  • 02.12.2016 14:19 Hisense A2 с дополнительным EInk-экраном прошел TENAA
  • 02.12.2016 13:03 Teclast X5 Pro - еще один планшет Kaby Lake
  • 02.12.2016 12:04 Cube MIX Plus - планшет 2-в-1 на Intel Kaby Lake
  • 01.12.2016 21:04 Elephone S8 получит экран без трех полей
  • 01.12.2016 18:52 В числе Moto Mods для смартфонов Moto Z может появиться модуль добавленной реальности
  • 01.12.2016 17:40 Телефоны и планшеты Nokia будет выпускать финская компания
  • 01.12.2016 17:37 Два новых 10-ядерника MediaTek - Helio X23 и X27
  • 01.12.2016 14:14 Coolpad Mega 3 и Coolpad Note 3S для индийского рынка
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru