Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

Поделиться:
Последние десять новостей:
  • 12.12.2017 19:25 Анонс: Senseit T250
  • 12.12.2017 19:19 TENAA: Nokia 6 (2018)
  • 12.12.2017 18:45 Сайт TENAA показал новый Honor
  • 12.12.2017 17:36 Металлический скромник BQ-5525 Practic
  • 12.12.2017 17:22 Gionee X1s - селфи-смартфон для индийского рынка
  • 12.12.2017 13:00 Анонс: M-Horse Pure 2
  • 11.12.2017 21:56 Oukitel выпустит премиальный K10 с аккумулятором 11000 мАч
  • 11.12.2017 18:47 Vivo X20 и Vivo X20 Plus на российском рынке
  • 11.12.2017 18:22 Vivo X20 в рождественском оформлении
  • 11.12.2017 17:50 Анонс: Energizer Energy S500
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru