Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 16.08.2017 17:04 10-дюймовый ридер Onyx Boox Chronos
  • 16.08.2017 14:34 Анонс: планшет Philips E Line 3G TLE722G
  • 16.08.2017 11:50 Всемогущий AGM X2 - смартфон, который выведет на чистый воздух
  • 16.08.2017 10:52 HomTom S8 получил длинный экран и приличные ТТХ
  • 15.08.2017 23:13 Cubot, планы на осень: Note Plus, King Kong, Cubot H3 и Cubot X18 Plus
  • 15.08.2017 21:36 Cubot готовит модель X18 - бюджетник с экраном 18:9
  • 15.08.2017 20:24 Семейство планшетов Lenovo Tab 4 вышло в продажу в России
  • 15.08.2017 16:54 Как будет выглядеть Huawei Mate 10
  • 15.08.2017 15:36 Анонс: фаблет ZTE Blade Z MAX
  • 14.08.2017 14:35 teXet TM-D228 - кнопочник с шикарной батарейкой
  • sw
    Рейтинг@Mail.ru