Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 16.10.2017 21:03 Doogee представит BL12000 - смартфон-пауербанк с батареей 12000 мАч
  • 16.10.2017 18:32 Huawei представила Mate 10 и Mate 10 Pro - смартфоны с ИИ-процессором и камерой Leica
  • 16.10.2017 16:02 ZTE готовит Axon M (Z999) со складным экраном
  • 16.10.2017 13:49 Анонсирован Xiaomi Redmi 5A
  • 16.10.2017 13:05 Защищенный планшет Logic Instrument Fieldbook Ks80 с поддержкой 4G
  • 13.10.2017 17:08 Wintel-планшет Cube KNote с 6 ГБ RAM
  • 13.10.2017 16:29 Анонс: ридер Tesla Viva
  • 13.10.2017 15:14 Анонс: Senseit A247
  • 13.10.2017 14:37 Анонс: Teclast T8
  • 13.10.2017 13:27 Супербюджетный Ulefone S7 с двойной камерой
  • sw
    Рейтинг@Mail.ru