Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 23.06.2017 20:31 Новый клон Galaxy S8 - Bluboo S8 на Helio X30
  • 23.06.2017 17:38 Микросмартфон iMAN X2
  • 23.06.2017 17:36 Слухи: Vivo представит смартфон с наэкранным дактилоскопическим сканером
  • 23.06.2017 16:40 Vertex C310 - раскладушка с кнопкой SOS
  • 23.06.2017 12:23 Vertex K204 - защищенный телефон-пауербанк
  • 23.06.2017 12:12 Анонс: TP-Link Neffos X1 Lite
  • 22.06.2017 21:40 Анонс: защищенный teXet TM-520R
  • 22.06.2017 21:01 "Беззащитный" BQ BQ-2428 Tank
  • 22.06.2017 20:50 TENAA: EBEST V2, KONKA X1 и Jason Q787
  • 22.06.2017 19:17 ASUS ZenPad Z8 (ZT582KL) для Verizon будет аналогом ZenPad 3S 8.0 (Z582KL)
  • ya
    Рейтинг@Mail.ru