Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 20.02.2017 20:53 Утечка: Moto G5 и Moto G5 Plus
  • 20.02.2017 18:38 Ulefone Armor 2 - защита IP68 и 6 ГБ RAM
  • 20.02.2017 12:02 Защищенный Blackview BV7000 Pro
  • 17.02.2017 21:40 Анонс: Zopo Color C5
  • 17.02.2017 20:50 TENAA: Xiaomi MAE136, возможно, Redmi 5
  • 17.02.2017 20:15 Слухи: LG V30 получит Snapdragon 835 и 6 ГБ RAM
  • 17.02.2017 14:41 TENAA: Honor KOB-L09 - будущий MediaPad T3
  • 17.02.2017 13:41 BQ BQ-4026 UP! - детский вариант
  • 17.02.2017 12:35 TENAA: HTC U-1w - HTC U Ultra или третий член семьи U?
  • 16.02.2017 18:17 LG G6 в преддверии анонса
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru