Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 23.01.2017 23:15 Анонс: Acer Liquid Z6E
  • 23.01.2017 22:35 Elephone P25 на видео
  • 23.01.2017 20:11 Vivo V5 Plus - селфифон с двойной фронтальной камерой - представлен на индийском рынке
  • 23.01.2017 18:28 TENAA: Philips E168
  • 23.01.2017 16:46 JDI начала массовый выпуск QHD-экранов для не-флагманских устройств
  • 23.01.2017 15:46 ZTE Hawkeye не взлетает: ZTE признает ошибки и просит совета
  • 23.01.2017 14:32 TENAA: ZTE BA602
  • 23.01.2017 14:05 Фото: ZTE Nubia 2017 года, вид сзади
  • 23.01.2017 13:50 Хьюго Барра покидает Xiaomi
  • 21.01.2017 13:22 TENAA: Honor DUK-TL30 - будущая гордость линейки Honor
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru