Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

Поделиться:
Последние десять новостей:
  • 25.04.2018 16:27 Geotel G9000 - бюджетный класс с огромным аккумулятором
  • 25.04.2018 15:47 Анонс: Xiaomi Mi 6X - больше, чем "средний класс" по средней цене
  • 24.04.2018 11:18 Анонс: Vivo V9 Youth
  • 23.04.2018 21:16 Многоликий ASUS ZenFone Max Pro M1 (ZB602KL)
  • 22.04.2018 16:44 Анонсированы смартфоны Meizu 15, Meizu 15 Plus и Meizu 15 Lite
  • 22.04.2018 15:37 TENAA: Nubia NX617J
  • 22.04.2018 15:01 Moto Z3 получит экран 18:9 и сканер отпечатков на боку
  • 22.04.2018 13:53 Утечка: ASUS ZenFone Max Pro M1 - чистый Android и 5000 мАч
  • 20.04.2018 19:52 Утечка: новые представители линейки Huawei Y
  • 20.04.2018 16:55 Navitel RE900 - планшет-видеорегистратор
  • ya
    Рейтинг@Mail.ru