Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 26.04.2017 09:48 TENAA: Philips E316
  • 26.04.2017 09:33 TENAA: Gionee S10C/S10CL
  • 25.04.2017 21:15 Анонс: ZTE Max XL
  • 25.04.2017 15:43 Очень бюджетный двухкамерный Bluboo D1 вышел в продажу
  • 25.04.2017 14:26 Xiaomi открыла фирменный магазин в Петербурге
  • 24.04.2017 15:32 Анонс: Gionee M6s Plus
  • 24.04.2017 13:39 Анонс: ZTE Axon 7s
  • 22.04.2017 15:15 Анонс: THL Knight 1 - середнячок с двойной камерой
  • 21.04.2017 20:19 Разнообразие расцветок Xiaomi Mi 6 будет шире анонсированного
  • 21.04.2017 19:53 Анонс: Huawei Nova Smart
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru