Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 27.03.2017 16:41 Утечка: Xiaomi Mi 6 и Mi6 Plus
  • 27.03.2017 16:32 Blackview P2 lite (он же P2s) с батарейкой 6000 мАч доступен за 8 тысяч рублей
  • 27.03.2017 15:51 Leagoo M5 Edge - смартфон с почти изогнутым экраном
  • 27.03.2017 15:19 OPPO R9S по весне зазеленел
  • 27.03.2017 14:36 Анонс: Panasonic Eluga Ray Max и Ray X с ИИ Arbo на борту
  • 27.03.2017 12:57 Алый Geotel Amigo
  • 27.03.2017 12:20 Micromax Bolt Q354 - скромный 3G-смартфон за 4590 рублей
  • 25.03.2017 15:44 Huawei Honor V8 с 2K-экраном, двойной камерой и 6 ГБ RAM - скоро на российском рынке
  • 25.03.2017 14:41 Кругом стеклянный Honor 8 Lite выходит на российский рынок
  • 24.03.2017 18:40 Elephone C1 Mini - бюджетник в металле с дактилоскопическим сканером
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru