Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Магнитная память вне конкуренции

Магнитная память вне конкуренции

Эксперимент, выполненный учеными из германского физико-технического общества (Physikalisch-Technische Bundesanstalt), дал очень интересные результаты. Ученые реализовали переключение вращающего момента наномагнетика с максимально возможной для этого процесса скоростью.

Используя возможности так называемого "баллистического переключения" ученые смогли заставить магнитную память работать быстрее любой энергонезависимой памяти.

Наиболее распространенные на сегодняшний день быстрые чипы памяти DRAM и SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) имеют один существенный недостаток - в случае отключения питания они теряют всю сохраненную информацию.

Эта проблема может быть решена при использовании MRAM (Magnetic Random Access Memory). В этом виде памяти информация хранится благодаря намагничиванию отдельных ячеек памяти. Но до недавнего времени этот вид памяти считался не слишком быстрым. Однако недавние исследования показали, что он может быть запрограммирован импульсами менее 1 наносекунды, то есть частота такой памяти составит 1 ГГц.

Поделиться:
Последние десять новостей:
  • 23.02.2018 18:58 Oukitel K10000 Mix - эксклюзив для DNS с большой батарейкой и невысоким ценником
  • 22.02.2018 19:26 TENAA: Honor LND-TL40 и Huawei LND-TL20 - почти одинаковые аппараты с тремя камерами
  • 22.02.2018 16:33 Caterpillar Cat S61 - термальная камера, газоанализатор и лазерный дальномер в неубиваемом корпусе
  • 22.02.2018 14:49 Jinga Joy - очень недорогой полноэкранник с 4G
  • 22.02.2018 13:40 Анонс: LG обновила модели K10 и K8
  • 20.02.2018 23:49 Samsung Galaxy S9 и S9+ в подробностях
  • 17.02.2018 01:00 Смартфон Nubia на Snapdragon 845 протестирован AnTuTu
  • 16.02.2018 22:42 Nokia 1 - первый среди низших
  • 16.02.2018 21:35 Nokia 7 Plus станет первым смартфоном Android One под этим брендом
  • 15.02.2018 22:51 Олдскульный teXet TM-121 за 500 рублей
  • sw
    Рейтинг@Mail.ru