Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Компания Samsung Electronics представила восьмигигабитный чип DRAM-памяти LPDDR4, предназначенный для смартфонов и планшетов. Он создан с использованием 20-нанометрового процесса и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. В одном корпусе можно собрать четыре таких чипа - в результате получится единый модуль оперативной памяти емкостью 4 Гб - до таких высот смартфоны еще не дотягивались.

Память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), способный обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с (в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм). Кроме того, новый интерфейс потребляет на 40 % меньше энергии при рабочем напряжении 1.1 В.

Новый чип позволит Samsung выпускать продукты премиального сегмента: смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 23.10.2017 20:28 Uhans i8, X8 и Uhans MIX 2 на Asia World-Expo: новые спецификации знакомых смартфонов
  • 23.10.2017 19:10 Спецификации HTC U11 Life по версии Geekbench
  • 23.10.2017 17:31 Цветастый планшет BQ-7083G Light - когда форма окупает содержание
  • 23.10.2017 15:22 Анонс: Maze Comet
  • 22.10.2017 18:38 TENAA: HTC 2Q4D200 - HTC U11 Life, HTC U11 Plus или ошибка ввода данных?
  • 22.10.2017 16:39 Vertex K205 - защищенная раскладушка
  • 22.10.2017 16:06 Слайдер Vertex S107 - привет из прошлого
  • 22.10.2017 14:59 Tesla Logos - ридер большим экраном и неразумным названием
  • 21.10.2017 15:29 TENAA: Xiaomi готовит смартфон среднего класса с экраном 18:9
  • 21.10.2017 01:46 Doogee BL12000 и Doogee BL12000 Pro
  • ya
    Рейтинг@Mail.ru