Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Компания Samsung Electronics представила восьмигигабитный чип DRAM-памяти LPDDR4, предназначенный для смартфонов и планшетов. Он создан с использованием 20-нанометрового процесса и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. В одном корпусе можно собрать четыре таких чипа - в результате получится единый модуль оперативной памяти емкостью 4 Гб - до таких высот смартфоны еще не дотягивались.

Память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), способный обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с (в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм). Кроме того, новый интерфейс потребляет на 40 % меньше энергии при рабочем напряжении 1.1 В.

Новый чип позволит Samsung выпускать продукты премиального сегмента: смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 24.01.2017 13:35 LG G6 получит чипсет Snapdragon 821
  • 24.01.2017 13:07 Leagoo M5 Edge - Leagoo обещает смартфон с небьющимся изогнутым экраном
  • 23.01.2017 23:15 Анонс: Acer Liquid Z6E
  • 23.01.2017 22:35 Elephone P25 на видео
  • 23.01.2017 20:11 Vivo V5 Plus - селфифон с двойной фронтальной камерой - представлен на индийском рынке
  • 23.01.2017 18:28 TENAA: Philips E168
  • 23.01.2017 16:46 JDI начала массовый выпуск QHD-экранов для не-флагманских устройств
  • 23.01.2017 15:46 ZTE Hawkeye не взлетает: ZTE признает ошибки и просит совета
  • 23.01.2017 14:32 TENAA: ZTE BA602
  • 23.01.2017 14:05 Фото: ZTE Nubia 2017 года, вид сзади
  • ya
    Рейтинг@Mail.ru