Helpix. Мобильные телефоны
Главная > Новости > Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Анонс: 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 от Samsung

Компания Samsung Electronics представила восьмигигабитный чип DRAM-памяти LPDDR4, предназначенный для смартфонов и планшетов. Он создан с использованием 20-нанометрового процесса и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. В одном корпусе можно собрать четыре таких чипа - в результате получится единый модуль оперативной памяти емкостью 4 Гб - до таких высот смартфоны еще не дотягивались.

Память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), способный обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с (в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм). Кроме того, новый интерфейс потребляет на 40 % меньше энергии при рабочем напряжении 1.1 В.

Новый чип позволит Samsung выпускать продукты премиального сегмента: смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей.

    Поделиться:      
Последние десять новостей:
  • 02.12.2016 22:41 Jolla показала Sailfish-часы
  • 02.12.2016 20:28 Раскладушки teXet TM-304 и teXet TM-404
  • 02.12.2016 14:19 Hisense A2 с дополнительным EInk-экраном прошел TENAA
  • 02.12.2016 13:03 Teclast X5 Pro - еще один планшет Kaby Lake
  • 02.12.2016 12:04 Cube MIX Plus - планшет 2-в-1 на Intel Kaby Lake
  • 01.12.2016 21:04 Elephone S8 получит экран без трех полей
  • 01.12.2016 18:52 В числе Moto Mods для смартфонов Moto Z может появиться модуль добавленной реальности
  • 01.12.2016 17:40 Телефоны и планшеты Nokia будет выпускать финская компания
  • 01.12.2016 17:37 Два новых 10-ядерника MediaTek - Helio X23 и X27
  • 01.12.2016 14:14 Coolpad Mega 3 и Coolpad Note 3S для индийского рынка
  • mg
    Рейтинг@Mail.ru